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TPC8212-H(TE12LQ,M
| Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Ficha técnica: | TPC8212-H(TE12LQ,M |
| Descripción: | MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8 |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
| Característica FET | Logic Level Gate |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Potencia - Máx. | 450mW |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| Vgs(th) (Max) - Id | 2.3V @ 1mA |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 21mOhm @ 3A, 10V |
| Paquete de dispositivos de proveedores | 8-SOP (5.5x6.0) |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 16nC @ 10V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 30V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 840pF @ 10V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 6A |
En stock 87 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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