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TK60P03M1,RQ(S

Fabricantes:	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	TK60P03M1,RQ(S
Descripción:	MOSFET N-CH 30V 60A DPAK-3
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	U-MOSVI-H
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) - Id	2.3V @ 500µA
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	6.4mOhm @ 30A, 10V
Disipación de energía (máx.)	63W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	DPAK
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	40nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	2700pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	60A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V