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NVD5C460NLT4G

Fabricantes:	ON Semiconductor
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	NVD5C460NLT4G
Descripción:	T6 40V DPAK EXPANSION AND
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	ON Semiconductor
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	Automotive, AEC-Q101
Tipo FET	N-Channel
Vgs (máx.)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) - Id	2.2V @ 60µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	4.6mOhm @ 25A, 10V
Disipación de energía (máx.)	3W (Ta), 47W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	DPAK
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	36nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	40V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	2100pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	18A (Ta), 73A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V