TK12E80W,S1X
Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | TK12E80W,S1X |
Descripción: | MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220 |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | DTMOSIV |
Tipo FET | N-Channel |
Empaquetado | Tube |
Vgs (máx.) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caso | TO-220-3 |
Vgs(th) (Max) - Id | 4V @ 570µA |
Temperatura de funcionamiento | 150°C |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 450mOhm @ 5.8A, 10V |
Disipación de energía (máx.) | 165W (Tc) |
Paquete de dispositivos de proveedores | TO-220 |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 23nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 800V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 1400pF @ 300V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 11.5A (Ta) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
En stock 330 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$3.13 | $3.07 | $3.01 |
Mínimo: 1