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TK12E80W,S1X

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: TK12E80W,S1X
Descripción: MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie DTMOSIV
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 570µA
Temperatura de funcionamiento 150°C
Rds On (Max) - Id, Vgs 450mOhm @ 5.8A, 10V
Disipación de energía (máx.) 165W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 23nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 800V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1400pF @ 300V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 11.5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 330 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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