Image is for reference only , details as Specifications

FDP038AN06A0

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: FDP038AN06A0
Descripción: MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie PowerTrench®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 3.8mOhm @ 80A, 10V
Disipación de energía (máx.) 310W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 124nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 6400pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 17A (Ta), 80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

En stock 783 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$3.07 $3.01 $2.95
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

FDP045N10A-F102
ON Semiconductor
$3.06
SIHP25N50E-GE3
Vishay / Siliconix
$3.06
FDPF15N65
ON Semiconductor
$3.03
IPP65R190E6XKSA1
Infineon Technologies
$3.01
TK12A80W,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
$2.97