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TK10J80E,S1E
| Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Ficha técnica: | TK10J80E,S1E |
| Descripción: | MOSFET N-CH 800V TO-3PN |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | π-MOSVIII |
| Tipo FET | N-Channel |
| Empaquetado | Tube |
| Vgs (máx.) | ±30V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / Caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Vgs(th) (Max) - Id | 4V @ 1mA |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 1Ohm @ 5A, 10V |
| Disipación de energía (máx.) | 250W (Tc) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | TO-3P(N) |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 46nC @ 10V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 800V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 2000pF @ 25V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 10A (Ta) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
En stock 60 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $2.49 | $2.44 | $2.39 |
Mínimo: 1
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