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IPB024N10N5ATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPB024N10N5ATMA1
Descripción: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Vgs(th) (Max) - Id 3.8V @ 183µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 2.4mOhm @ 90A, 10V
Disipación de energía (máx.) 250W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO263-7
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 138nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 10200pF @ 50V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 180A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

En stock 72 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.49 $2.44 $2.39
Mínimo: 1

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