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TK040N65Z,S1F

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: TK040N65Z,S1F
Descripción: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-247-3
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 2.85mA
Temperatura de funcionamiento 150°C
Rds On (Max) - Id, Vgs 40mOhm @ 28.5A, 10V
Disipación de energía (máx.) 360W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-247
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 105nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 650V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 6250pF @ 300V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 57A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 226 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$10.50 $10.29 $10.08
Mínimo: 1

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