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SCT2280KEC

Fabricantes:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	SCT2280KEC
Descripción:	MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	ROHM Semiconductor
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Tube
Vgs (máx.)	+22V, -6V
Tecnología	SiCFET (Silicon Carbide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete / Caso	TO-247-3
Vgs(th) (Max) - Id	4V @ 1.4mA
Temperatura de funcionamiento	175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	364mOhm @ 4A, 18V
Disipación de energía (máx.)	108W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	TO-247
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	36nC @ 18V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	1200V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	667pF @ 800V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	14A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	18V