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TJ40S04M3L(T6L1,NQ

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: TJ40S04M3L(T6L1,NQ
Descripción: MOSFET P-CH 40V 40A DPAK-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie U-MOSVI
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) +10V, -20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) - Id 3V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 9.1mOhm @ 20A, 10V
Disipación de energía (máx.) 68W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores DPAK+
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 83nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 40V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 4140pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 40A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

En stock 79 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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