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SI3447CDV-T1-E3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SI3447CDV-T1-E3
Descripción: MOSFET P-CH 12V 7.8A 6TSOP
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±8V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) - Id 1V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 36mOhm @ 6.3A, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 2W (Ta), 3W (Tc)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 30nC @ 8V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 910pF @ 6V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 7.8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V

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