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SSM6J215FE(TE85L,F

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SSM6J215FE(TE85L,F
Descripción: MOSFET P CH 20V 3.4A ES6
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie U-MOSVI
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±8V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SOT-563, SOT-666
Vgs(th) (Max) - Id 1V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 59mOhm @ 3A, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 500mW (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores ES6
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 10.4nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 630pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 3.4A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V

En stock 7870 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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