RQ3E120GNTB
Fabricantes: | ROHM Semiconductor |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | RQ3E120GNTB |
Descripción: | MOSFET N-CH 30V 12A 8-HSMT |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | ROHM Semiconductor |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
Tipo FET | N-Channel |
Empaquetado | Digi-Reel® |
Vgs (máx.) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | 8-PowerVDFN |
Vgs(th) (Max) - Id | 2.5V @ 1mA |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 8.8mOhm @ 12A, 10V |
Disipación de energía (máx.) | 2W (Ta), 16W (Tc) |
Paquete de dispositivos de proveedores | 8-HSMT (3.2x3) |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 10nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 590pF @ 15V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 12A (Ta) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
En stock 5672 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1