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SSM3K106TU(TE85L)

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SSM3K106TU(TE85L)
Descripción: MOSFET N-CH 20V 1.2A UFM
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie π-MOSVI
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 3-SMD, Flat Leads
Vgs(th) (Max) - Id 2.3V @ 100µA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 310mOhm @ 600mA, 10V
Disipación de energía (máx.) 500mW (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores UFM
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 36pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 1.2A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V

En stock 79 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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