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TK4A60D(STA4,Q,M)

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: TK4A60D(STA4,Q,M)
Descripción: MOSFET N-CH 600V 4A TO-220SIS
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie π-MOSVII
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) - Id 4.4V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 1.7Ohm @ 2A, 10V
Disipación de energía (máx.) 35W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220SIS
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 12nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 600pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 4A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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