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RN1444ATE85LF

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Ficha técnica: RN1444ATE85LF
Descripción: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Empaquetado Digi-Reel®
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 200mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tipo de transistor NPN - Pre-Biased
Resistencia - Base (R1) 2.2 kOhms
Frecuencia - Transición 30MHz
Paquete de dispositivos de proveedores S-Mini
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 100mV @ 3mA, 30mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 300mA
Corriente - Corte del colector (máx.) 100nA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 200 @ 4mA, 2V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 20V

En stock 67 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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