La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

FJN3303RTA

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Ficha técnica: FJN3303RTA
Descripción: TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Empaquetado Cut Tape (CT)
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 300mW
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Tipo de transistor NPN - Pre-Biased
Número de pieza base FJN3303
Resistencia - Base (R1) 22 kOhms
Frecuencia - Transición 250MHz
Paquete de dispositivos de proveedores TO-92-3
Resistencia - Base emisora (R2) 22 kOhms
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 100mA
Corriente - Corte del colector (máx.) 100nA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 56 @ 5mA, 5V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 50V

En stock 55 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

RN1109CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
RN1108CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
RN1104ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
RN2102CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
RN2101CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0