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HN1B04FU-Y(T5L,F,T

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Ficha técnica: HN1B04FU-Y(T5L,F,T
Descripción: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Serie -
Empaquetado Digi-Reel®
Estado de la pieza Discontinued at Digi-Key
Potencia - Máx. 200mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tipo de transistor NPN, PNP
Temperatura de funcionamiento 125°C (TJ)
Frecuencia - Transición 150MHz
Paquete de dispositivos de proveedores US6
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 150mA
Corriente - Corte del colector (máx.) 100nA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 120 @ 2mA, 6V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 50V

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