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HN4B01JE(TE85L,F)

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Ficha técnica: HN4B01JE(TE85L,F)
Descripción: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Serie -
Empaquetado Digi-Reel®
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 100mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SOT-553
Tipo de transistor NPN, PNP (Emitter Coupled)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Frecuencia - Transición 80MHz
Paquete de dispositivos de proveedores ESV
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 150mA
Corriente - Corte del colector (máx.) 100nA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 120 @ 10MA, 100MA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 50V

En stock 435 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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