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2SK879-Y(TE85L,F)

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - JFETs
Ficha técnica: 2SK879-Y(TE85L,F)
Descripción: JFET N-CH 0.1W USM
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - JFETs
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 100mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SC-70, SOT-323
Temperatura de funcionamiento 125°C (TJ)
Paquete de dispositivos de proveedores USM
Voltaje - Corte (VGS apagado) - Id 400mV @ 100nA
Corriente - Drenaje (Idss) - Vds (Vgs-0) 1.2mA @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 8.2pF @ 10V

En stock 2836 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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