La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto
2SK3666-3-TB-E
| Fabricantes: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - JFETs |
| Ficha técnica: | 2SK3666-3-TB-E |
| Descripción: | JFET N-CH 10MA 200MW 3CP |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | ON Semiconductor |
| Categoría de producto | Transistors - JFETs |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Empaquetado | Digi-Reel® |
| Estado de la pieza | Active |
| Potencia - Máx. | 200mW |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Número de pieza base | 2SK3666 |
| Resistencia - RDS(On) | 200 Ohms |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | 3-CP |
| Drenaje de corriente (Id) - Máx. | 10mA |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 30V |
| Voltaje - Corte (VGS apagado) - Id | 180mV @ 1µA |
| Corriente - Drenaje (Idss) - Vds (Vgs-0) | 1.2mA @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 4pF @ 10V |
En stock 1853 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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