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TSM60N1R4CH C5G

Fabricantes: Taiwan Semiconductor Corporation
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: TSM60N1R4CH C5G
Descripción: MOSFET N-CH 600V 3.3A TO251
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Taiwan Semiconductor Corporation
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Not For New Designs
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 1.4Ohm @ 2A, 10V
Disipación de energía (máx.) 38W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-251 (IPAK)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 7.7nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 370pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 3.3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 99 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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