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TSM120NA03CR RLG

Fabricantes: Taiwan Semiconductor Corporation
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: TSM120NA03CR RLG
Descripción: MOSFET N-CH 30V 39A 8PDFN
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Taiwan Semiconductor Corporation
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) - Id 2.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 11.7mOhm @ 11A, 10V
Disipación de energía (máx.) 33W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores 8-PDFN (5x6)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 9.2nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 562pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 39A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 98 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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