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TPCC8093,L1Q

Fabricantes:	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	TPCC8093,L1Q
Descripción:	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	U-MOSVII
Tipo FET	N-Channel
Vgs (máx.)	±12V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) - Id	1.2V @ 500µA
Temperatura de funcionamiento	150°C
Rds On (Max) - Id, Vgs	5.8mOhm @ 10.5A, 4.5V
Disipación de energía (máx.)	1.9W (Ta), 30W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	8-TSON Advance (3.3x3.3)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	16nC @ 5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	1860pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	21A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V