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STB6N65M2

Fabricantes: STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: STB6N65M2
Descripción: MOSFET N-CH 650V 4A D2PAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante STMicroelectronics
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie MDmesh™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±25V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de pieza base STB6N
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 1.35Ohm @ 2A, 10V
Disipación de energía (máx.) 60W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores D2PAK
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 9.8nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 650V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 226pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 156 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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