La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

TK90S06N1L,LQ

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: TK90S06N1L,LQ
Descripción: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie U-MOSVIII-H
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) - Id 2.5V @ 500µA
Temperatura de funcionamiento 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 3.3mOhm @ 45A, 10V
Disipación de energía (máx.) 157W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-252-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 81nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 5400pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 90A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 608 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

SIR662DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
RCX220N25
ROHM Semiconductor
$1.96
STL160NS3LLH7
STMicroelectronics
$0
BUK9605-30A,118
Nexperia USA Inc.
$0
STH175N4F6-2AG
STMicroelectronics
$0