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RQA0002DNSTB-E
| Fabricantes: | Renesas Electronics America |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Ficha técnica: | RQA0002DNSTB-E |
| Descripción: | MOSFET N-CH HWSON2 |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Renesas Electronics America |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Vgs (máx.) | ±5V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | 3-DFN Exposed Pad |
| Vgs(th) (Max) - Id | 750mV @ 1mA |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | - |
| Disipación de energía (máx.) | 15W (Tc) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | 2-HWSON (5x4) |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 16V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 3.8A (Ta) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | - |
En stock 79 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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