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RJL6013DPE-WS#J3

Fabricantes: Renesas Electronics America
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: RJL6013DPE-WS#J3
Descripción: MOSFET N-CH LDPAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Renesas Electronics America
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SC-83
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento 150°C
Rds On (Max) - Id, Vgs 810mOhm @ 5.5A, 10V
Disipación de energía (máx.) 100W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores 4-LDPAK
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 38nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1400pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 11A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 98 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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