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RJK6026DPE-00#J3

Fabricantes: Renesas Electronics America
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: RJK6026DPE-00#J3
Descripción: MOSFET N-CH 600V 5A LDPAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Renesas Electronics America
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SC-83
Vgs(th) (Max) - Id -
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 2.4Ohm @ 2.5A, 10V
Disipación de energía (máx.) 62.5W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores 4-LDPAK
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 14nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 440pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 58 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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