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RJK6015DPM-00#T1

Fabricantes: Renesas Electronics America
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: RJK6015DPM-00#T1
Descripción: MOSFET N-CH 600V 21A TO3PFM
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Renesas Electronics America
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-3PFM, SC-93-3
Vgs(th) (Max) - Id -
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 360mOhm @ 10.5A, 10V
Disipación de energía (máx.) 60W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-3PFM
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 67nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 2600pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 21A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 51 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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