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HAT2185WPWS-E

Fabricantes: Renesas Electronics America
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: HAT2185WPWS-E
Descripción: MOSFET N-PAK WPAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Renesas Electronics America
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerWDFN
Vgs(th) (Max) - Id 4.5V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento 150°C
Rds On (Max) - Id, Vgs 190mOhm @ 5A, 10V
Disipación de energía (máx.) 20W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores 8-WPAK
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 9.7nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 150V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 430pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 10A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 94 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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