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HAT2166HWS-E

Fabricantes: Renesas Electronics America
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: HAT2166HWS-E
Descripción: MOSFET N-CH LFPAK-5
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Renesas Electronics America
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SC-100, SOT-669
Vgs(th) (Max) - Id 2.5V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento 150°C
Rds On (Max) - Id, Vgs 3.8mOhm @ 22.5A, 10V
Disipación de energía (máx.) 25W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores 5-LFPAK
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 27nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 4400pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 45A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 78 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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