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SCT3120ALHRC11

Fabricantes:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	SCT3120ALHRC11
Descripción:	AUTOMOTIVE GRADE N-CHANNEL SIC P
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	ROHM Semiconductor
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	Automotive, AEC-Q101
Tipo FET	N-Channel
Vgs (máx.)	+22V, -4V
Tecnología	SiCFET (Silicon Carbide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete / Caso	TO-247-3
Vgs(th) (Max) - Id	5.6V @ 3.33mA
Temperatura de funcionamiento	175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	156mOhm @ 6.7A, 18V
Disipación de energía (máx.)	103W
Paquete de dispositivos de proveedores	TO-247N
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	38nC @ 18V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	650V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	460pF @ 500V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	21A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	18V