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TP65H070LDG

Fabricantes: Transphorm
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: TP65H070LDG
Descripción: 650 V 25 A GAN FET
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Transphorm
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TP65H070L
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología GaNFET (Gallium Nitride)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 3-PowerDFN
Vgs(th) (Max) - Id 4.8V @ 700µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 85mOhm @ 16A, 10V
Disipación de energía (máx.) 96W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores 3-PQFN (8x8)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 9.3nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 650V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 600pF @ 400V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 25A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 235 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$11.80 $11.56 $11.33
Mínimo: 1

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