TP65H070LDG
Fabricantes: | Transphorm |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | TP65H070LDG |
Descripción: | 650 V 25 A GAN FET |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Transphorm |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | TP65H070L |
Tipo FET | N-Channel |
Empaquetado | Tube |
Vgs (máx.) | ±20V |
Tecnología | GaNFET (Gallium Nitride) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | 3-PowerDFN |
Vgs(th) (Max) - Id | 4.8V @ 700µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 85mOhm @ 16A, 10V |
Disipación de energía (máx.) | 96W (Tc) |
Paquete de dispositivos de proveedores | 3-PQFN (8x8) |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 9.3nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 650V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 600pF @ 400V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 25A (Tc) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
En stock 235 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$11.80 | $11.56 | $11.33 |
Mínimo: 1