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RS3E180ATTB1

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: RS3E180ATTB1
Descripción: RS3E180AT IS A POWER MOSFET FOR
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) - Id 2.5V @ 5mA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 5.4mOhm @ 18A, 10V
Disipación de energía (máx.) 1.4W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores 8-SOP
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 160nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 7200pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 18A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 91 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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