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RS1E220ATTB1

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: RS1E220ATTB1
Descripción: RS1E220AT IS A POWER MOSFET, SUI
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) - Id 2.5V @ 2mA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 4.1mOhm @ 22A, 10V
Disipación de energía (máx.) 3W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores 8-HSOP
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 130nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 5850pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 22A (Ta), 76A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 55 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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