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RS1E180BNTB

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: RS1E180BNTB
Descripción: MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Discontinued at Digi-Key
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) - Id 2.5V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 4.9mOhm @ 18A, 10V
Disipación de energía (máx.) 3W (Ta), 25W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores 8-HSOP
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 23nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 2400pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 60A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 56 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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