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CWDM3011N TR13

Fabricantes: Central Semiconductor Corp
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: CWDM3011N TR13
Descripción: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Central Semiconductor Corp
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) 20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) - Id 3V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 20mOhm @ 11A, 10V
Disipación de energía (máx.) 2.5W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores 8-SOIC
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 6.3nC @ 5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 860pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 11A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 2490 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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