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RDN050N20FU6

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: RDN050N20FU6
Descripción: MOSFET N-CH 200V 5A TO-220FN
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Bulk
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Last Time Buy
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 720mOhm @ 2.5A, 10V
Disipación de energía (máx.) 30W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220FN
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 18.6nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 200V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 292pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 68 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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