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BSZ014NE2LS5IFATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: BSZ014NE2LS5IFATMA1
Descripción: MOSFET N-CH 25V 31A 8TSDSON
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±16V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET Schottky Diode (Body)
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) - Id 2V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 1.45mOhm @ 20A, 10V
Disipación de energía (máx.) 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TSDSON-8-FL
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 33nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 2300pF @ 12V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 31A (Ta), 40A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 92 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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