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R8002ANX

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: R8002ANX
Descripción: MOSFET N-CH 800V 2A TO-220FM
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Bulk
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) - Id 5V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 4.3Ohm @ 1A, 10V
Disipación de energía (máx.) 35W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220FM
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 12.7nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 800V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 210pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 2A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 495 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.71 $2.66 $2.60
Mínimo: 1

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