Image is for reference only , details as Specifications

IPA60R190P6XKSA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPA60R190P6XKSA1
Descripción: MOSFET N-CH 600V 9.5A TO220-FP
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™ P6
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) - Id 4.5V @ 630µ
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 190mOhm @ 7.6A, 10V
Disipación de energía (máx.) 34W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO220-FP
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 37nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1750pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 20.2A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 547 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.65 $2.60 $2.55
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

IRFIZ48GPBF
Vishay / Siliconix
$2.66
TK7J90E,S1E
Toshiba Semiconductor and Storage
$2.57
IXTP28P065T
IXYS
$2.66
STP10LN80K5
STMicroelectronics
$2.57
FDP2552
ON Semiconductor
$2.55