La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

R6030KNZ1C9

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: R6030KNZ1C9
Descripción: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-247-3
Vgs(th) (Max) - Id 5V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 130mOhm @ 14.5A, 10V
Disipación de energía (máx.) 305W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-247
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 56nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 2350pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 30A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 430 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$3.37 $3.30 $3.24
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

STB36NM60ND
STMicroelectronics
$0
IPP60R160C6XKSA1
Infineon Technologies
$3.36
IPW60R190E6FKSA1
Infineon Technologies
$3.36
IPA60R160C6XKSA1
Infineon Technologies
$3.36
IPW65R190CFDFKSA1
Infineon Technologies
$3.35