La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

STB36NM60ND

Fabricantes: STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: STB36NM60ND
Descripción: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante STMicroelectronics
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie FDmesh™ II
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±25V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de pieza base STB36N
Vgs(th) (Max) - Id 5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 110mOhm @ 14.5A, 10V
Disipación de energía (máx.) 190W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores D2PAK
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 80.4nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 2785pF @ 50V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 29A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 1000 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

IPP60R160C6XKSA1
Infineon Technologies
$3.36
IPW60R190E6FKSA1
Infineon Technologies
$3.36
IPA60R160C6XKSA1
Infineon Technologies
$3.36
IPW65R190CFDFKSA1
Infineon Technologies
$3.35
SPW16N50C3FKSA1
Infineon Technologies
$3.34