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HS8K11TB

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: HS8K11TB
Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Empaquetado Digi-Reel®
Característica FET Logic Level Gate
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 2W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-UDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) - Id 2.5V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 17.9mOhm @ 7A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores HSML3030L10
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 11.1nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 500pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 7A, 11A

En stock 2443 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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