Image is for reference only , details as Specifications

SIA929DJ-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: SIA929DJ-T1-GE3
Descripción: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC70-6
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie TrenchFET®
Tipo FET 2 P-Channel (Dual)
Empaquetado Digi-Reel®
Característica FET Logic Level Gate
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 7.8W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso PowerPAK® SC-70-6 Dual
Vgs(th) (Max) - Id 1.1V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 64mOhm @ 3A, 10V
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 21nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 575pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 4.5A (Tc)

En stock 2829 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

QS6J1TR
ROHM Semiconductor
$0
SI7228DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
DMN2008LFU-7
Diodes Incorporated
$0
QS6M4TR
ROHM Semiconductor
$0
US6K1TR
ROHM Semiconductor
$0