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DTD114ESTP

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Ficha técnica: DTD114ESTP
Descripción: TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Empaquetado Tape & Box (TB)
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 300mW
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso SC-72 Formed Leads
Tipo de transistor NPN - Pre-Biased
Número de pieza base DTD114
Resistencia - Base (R1) 10 kOhms
Frecuencia - Transición 200MHz
Paquete de dispositivos de proveedores SPT
Resistencia - Base emisora (R2) 10 kOhms
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 500mA
Corriente - Corte del colector (máx.) 500nA
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 56 @ 50mA, 5V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 50V

En stock 84 pcs

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