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DTC363EUT106

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Ficha técnica: DTC363EUT106
Descripción: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 200mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SC-70, SOT-323
Tipo de transistor NPN - Pre-Biased
Número de pieza base DTC363
Resistencia - Base (R1) 6.8 kOhms
Frecuencia - Transición 200MHz
Paquete de dispositivos de proveedores UMT3
Resistencia - Base emisora (R2) 6.8 kOhms
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 80mV @ 2.5mA, 50mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 600mA
Corriente - Corte del colector (máx.) 500nA
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 70 @ 50mA, 5V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 20V

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