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DTC123EUAT106

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Ficha técnica: DTC123EUAT106
Descripción: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza Not For New Designs
Potencia - Máx. 200mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SC-70, SOT-323
Tipo de transistor NPN - Pre-Biased
Número de pieza base DTC123
Resistencia - Base (R1) 2.2 kOhms
Frecuencia - Transición 250MHz
Paquete de dispositivos de proveedores UMT3
Resistencia - Base emisora (R2) 2.2 kOhms
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 100mA
Corriente - Corte del colector (máx.) 500nA
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 20 @ 20mA, 5V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 50V

En stock 73 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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