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DTA123JUAT106

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Ficha técnica: DTA123JUAT106
Descripción: TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Empaquetado Cut Tape (CT)
Estado de la pieza Not For New Designs
Potencia - Máx. 200mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SC-70, SOT-323
Tipo de transistor PNP - Pre-Biased
Número de pieza base DTA123
Resistencia - Base (R1) 2.2 kOhms
Frecuencia - Transición 250MHz
Paquete de dispositivos de proveedores UMT3
Resistencia - Base emisora (R2) 47 kOhms
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 100mA
Corriente - Corte del colector (máx.) 500nA
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 50V

En stock 412 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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